ITO导电膜

　　ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法（ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法），在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。
　　以下是两种不同的PET-ITO导电膜的参数：
　　高阻抗ITO导电膜（PET-ITO）
　　高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。
　　产品参数：
　　面电阻：300～500 Ω/□
　　面电阻均匀性：MD≤±3%，TD≤±6%
　　薄膜厚度：0.188±10%
　　线性度（MD）：≤1.5%
　　全光线透过率：≥86%
　　表面硬度（铅笔硬度）：≥3H
　　热稳定性：(R-R0)/R: ±20%
　　热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%
　　加热卷曲：≤10mm
　　低阻抗ITO导电膜（PET-ITO）
　　低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域，如：用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。
　　产品参数：
　　薄膜厚度：0.175±10 mm
　　雾度：<2%
　　宽度：406/360±2 mm
　　粘附：100/100
　　卷曲：≤10 mm
　　透过率：≥ 80%
　　表面电阻：90±15 Ω/□
　　面电阻均匀性：<7%
　　热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0
　　热稳定性：
　　高温：80oC,120hr ≤1.3
　　低温：-40oC,120hr ≤1.3
　　热循环：-30oC—80oC ≤1.3
　　热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3